<strike id="myo2k"></strike>
SPB35N10參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：35A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：44毫歐@26.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：65nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1570pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：P-TO263-3
<li id="c44wa"></li>
